反馈控制：运放或专用IC比较采样电压与基准，调节PWM占空比，通过MOSFET开关维持恒流。
PWM调光设计
- 高频调光：MOSFET以数百Hz至数kHz频率开关，调节亮度无闪烁。
- 占空比调节：通过MCU或PWM控制器改变导通时间，实现0-100%亮度调节。
MOSFET选型关键参数
- 耐压（Vds）：高于电路最大电压的1.5倍（如30V系统选50V MOSFET）。
- 导通电阻（Rds(on)）：选择低Rds(on)（如10mΩ以下）减少导通损耗。
- 开关速度：快速开关（如纳秒级上升/下降时间）降低开关损耗。
- 封装散热：TO-220或DFN封装，搭配散热片优化热管理。
保护功能集成
- 过流保护：电流检测触发关断MOSFET（如使用保险丝或电子断路器）。
- 过热保护：热敏电阻或集成温度传感器监控温度，超温关闭驱动。
- 开路/短路保护：检测异常状态并切断MOSFET，保护LED和电源。
MOSFET在LED驱动中通过高效开关、精确恒流控制及灵活调光，成为核心元件。合理选型、优化驱动电路及保护设计，可确保系统高效、可靠，适用于从低功率照明到高功率工业应用的广泛场景。实际设计中需结合具体需求，参考厂商方案（如TI/ADI的参考设计），权衡性能、成本与体积。
